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V30KM45数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

V30KM45

参数属性

V30KM45 封装/外壳为8-PowerTDFN;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:30A, 45V, FLATPAK 5X6 SINGLE TRE

功能描述

High Current Density Surface-Mount (TMBS®) Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A

封装外壳

8-PowerTDFN

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-11 17:32:00

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V30KM45规格书详情

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in low voltage high frequency DC/DC converters, freewheeling diodes, and polarity protection applications.

技术参数

  • 产品编号:

    V30KM45HM3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    5.2A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    4300pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件封装:

    FlatPAK(5x6)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 165°C

  • 描述:

    30A, 45V, FLATPAK 5X6 SINGLE TRE

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