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V30K170-M3/I中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
V30K170-M3/I |
| 参数属性 | V30K170-M3/I 封装/外壳为8-PowerTDFN；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单；产品描述：30A, 170V, FLATPAK 5X6 SINGLE TR |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount (TMBS짰) Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| 文件大小 |
158.73 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Vishay Siliconix |
| 企业简称 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名称 | 威世科技官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-3 16:17:00 |
产品属性
- 产品编号：
V30K170-M3/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
管件
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
3.4A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
1250pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：
FlatPAK（5x6）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 165°C
- 描述：
30A, 170V, FLATPAK 5X6 SINGLE TR
