Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nVery low profile - typical height of 1.7 mm\nIdeal for automated placement;

Vishay

威世

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\n Very low profile - typical height of 1.7 mm\n Ideal for automated placement\n\n ;

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肖特基二极管与整流器 30A 120V TrenchMOS

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 15A SMPD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V SMPD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division