V30DM120C-M3SLASHI中文资料威世科技数据手册PDF规格书

厂商型号	V30DM120C-M3SLASHI
功能描述	Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A
文件大小	126.96 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Siliconix
企业简称	VISHAY【威世科技】
中文名称	威世科技半导体官网
原厂标识
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更新时间	2025-6-13 8:35:00
人工找货	V30DM120C-M3SLASHI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

• Trench MOS Schottky technology

• Very low profile - typical height of 1.7 mm

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• AEC-Q101 qualified available:

- Automotive ordering code: base P/NHM3

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
博速半导体（深圳）有限公司	V30K150-M3/H	VISHAY/威世	24+	N/A	30000	渠道现货欢迎来询	询价
深圳市纳立科技有限公司	V30K202-M3/H	VISHAY	22+	PowerTDFN-8	440	只做原装正品	询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司	V30DM150CHM3/I		24+	N/A	60000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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