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V30DL50C	文件：123.05 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - A 文件：123.05 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30DL50C	文件：122.41 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：122.41 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30DL50C_V01	文件：123.05 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - A 文件：123.05 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30DL50CHM3_ASLASHI	文件：122.41 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.29 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive 文件：122.41 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30DL50C-M3SLASHI	文件：122.41 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.29 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive 文件：122.41 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30DL50CHM3	文件：119.6 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：119.6 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30DL50CHM3	文件：128.88 Kbytes Page：6 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：128.88 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30DL50CHM3_A/I	文件：122.41 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：122.41 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30DL50C-M3	文件：128.88 Kbytes Page：6 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：128.88 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30DL50C-M3/I	文件：122.41 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：122.41 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
V30DL50C
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
V30DL50C-M3/I - Tape and Reel
功能描述：
DIODE SCHOTTKY DUAL 50V 30A SMPD
制造商：
Vishay Intertechnologies
功能描述：
Schottky Diodes & Rectifiers 30A 50V TrenchMOS

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