Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Low-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5 A

• Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive

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Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Very low profile - typical height of 1.7 mm\n·Ideal for automated placement;

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO263AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division