V30D100C_V01数据手册库存现货威世Vishay-114ic电子网

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V30D100C_V01	文件：130.62 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：130.62 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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更多V30D100C_V01供应商更新时间2025-10-10 17:32:00