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V30D100C-M3/I	文件：129.979 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：129.979 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30D100C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：30A 100V SMPD TRENCH SKY RECT	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V30D100C-M3SLASHI	文件：129.979 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5.0 A • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - Automotive 文件：129.979 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V3S	文件：0 bytes Page：0 Pages	全志/ALLWINNER QFP128	全志/ALLWINNER 上传：深圳市柯尔基电子有限公司	全志/ALLWINNER

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更多V30D100C-M3/I供应商更新时间2025-10-10 16:12:00