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V30202C_V01	文件：207.43 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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V30202C_V01

文件：207.43 Kbytes

Page：6 Pages

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

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