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V30120CI-M3SLASHP	文件：135.7 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：135.7 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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更多V30120CI-M3SLASHP供应商更新时间2025-10-10 10:31:00