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V30100S中文资料High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书

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厂商型号	V30100S
参数属性	V30100S 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB
功能描述	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A
封装外壳	TO-220-3
制造商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世科技
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-30 22:59:00
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V30100S规格书详情

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

技术参数

产品编号：
V30100S-E3/4W
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
TMBS®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
30A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB

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