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V20PWM45C	文件：119.58 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.39VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20PWM45C	文件：141.07 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20PWM45C_V01	文件：141.07 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20PWM45CHM3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTT 45V SLIMDPAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20PWM45C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTT 45V SLIMDPAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20PWM45	文件：120.19 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.35VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20PWM45	文件：131.65 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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