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V20DM150C	文件：111.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20DM150CHM3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTT 150V TO263AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20DM150C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTT 150V TO263AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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V20DM150C

文件：111.45 Kbytes

Page：5 Pages

Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

V20DM150CHM3/I

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTT 150V TO263AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多V20DM150C供应商更新时间2024-6-23 15:00:00

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