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V20150C-E3_V01	文件：218.83 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a 文件：218.83 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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