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V20120SG-E3/4W分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
V20120SG-E3/4W |
| 参数属性 | V20120SG-E3/4W 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB |
| 功能描述 | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
166.5 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世 威世科技公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 11:12:00 |
| 人工找货 | V20120SG-E3/4W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V20120SG-E3/4W规格书详情
Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
产品属性
- 产品编号：
V20120SG-E3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
TMBS®
- 包装：
管件
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
20A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
80000 |
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VISHAY/威世 |
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T0-220 |
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24+ |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO220 |
50000 |
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