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V20120S-E3_V01	文件：217.34 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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V20120S-E3_V01

文件：217.34 Kbytes

Page：6 Pages

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

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威世科技威世科技半导体

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更多V20120S-E3_V01供应商更新时间2025-5-21 11:00:00

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