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V20120S-E3_V01

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB,

文件:217.34 Kbytes 页数:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

V23084-C2001-A303

TYCO
DIP-10

Tyco

V23105A5303A201

TE
DIP8

V23105A5303A201

TE/泰科
DIP

TE/泰科

V23234-A1004-X050

TE
DIP

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