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V20120C-E3分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
V20120C-E3 |
| 参数属性 | V20120C-E3 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220 |
| 功能描述 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
161.84 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Vishay Siliconix |
| 企业简称 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名称 | 威世科技半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-15 22:30:00 |
| 人工找货 | V20120C-E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V20120C-E3规格书详情
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.
产品属性
- 产品编号：
V20120C-E3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
TMBS®
- 包装：
管件
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
10A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO220 |
54648 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
100000 |
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VISHAY/威世通 |
20+ |
TO220-3 |
38560 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO220 |
990000 |
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VISHAY/威世 |
13+ |
TO-220 |
2773 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
90000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3550 |
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Vishay(威世) |
23+ |
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20094 |
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VISHAY |
09+ |
TO-220 |
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