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V20120C-E3分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

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厂商型号

V20120C-E3

参数属性

V20120C-E3 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

封装外壳

TO-220-3

文件大小

161.84 Kbytes

页面数量

6 页

生产厂商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

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更新时间

2026-10-8 20:10:00

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V20120C-E3规格书详情

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

产品属性

  • 产品编号:

    V20120C-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    管件

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220

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