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V20100R_V01	文件：132.88 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：132.88 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多V20100R_V01供应商更新时间2025-10-8 10:31:00