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V15WL45C-M3_V01

文件：90.46 Kbytes

Page：5 Pages

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

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更多V15WL45C-M3_V01供应商更新时间2024-6-1 10:18:00

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