V15PM12中文资料High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V15PM12 |
| 参数属性 | V15PM12 封装/外壳为TO-277，3-PowerDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-277，3-PowerDFN |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:00:00 |
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V15PM12规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Very low profile - typical height of 1.1 mm
Ideal for automated placement
Trench MOS Schottky technology
应用 Application
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号：
V15PM12HM3/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
15A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
- 供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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