Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.co

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.co

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 3 A

分立

Vishay

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 12A 60V DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division