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V12PM6-M3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技

V12PM6-M3/I

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-277,3-PowerDFN 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V12PM6-M3/H

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

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威世科技

产品属性

  • 产品编号:

    V12PM6-M3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    eSMP®, TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    12A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2050pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 175°C

  • 描述:

    RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多V12PM6-M3/I供应商 更新时间2024-5-13 16:19:00