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V12P8HM3_ASLASHH	文件：106.3 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 6 A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P8HM3_ASLASHH	文件：105.12 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 6 A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P8HM3	文件：95.81 Kbytes Page：5 Pages	Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P8HM3_A/H	文件：106.3 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P8HM3_A/H	文件：105.12 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P8HM3_A/I	文件：106.3 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P8HM3_A/I	文件：105.12 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P8HM3_ASLASHI	文件：106.3 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.60VatIF=6A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P8HM3_ASLASHI	文件：105.12 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.42VatIF=6A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多V12P8HM3_ASLASHH供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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