High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -

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High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 6 A

Very low profile - typical height of 1.1 mm\nIdeal for automated placement\nTrench MOS Schottky technology;

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High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -

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Ideal for automated placement

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Ideal for automated placement

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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 12A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 4.3A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 4.3A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division