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V12P22HM3SLASHH	文件：106.96 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 6 A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P22HM3SLASHH	文件：104.1 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 6 A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P22HM3/H	文件：104.1 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P22HM3/H	文件：106.96 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P22HM3/I	文件：104.1 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P22HM3/I	文件：106.96 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P22HM3SLASHI	文件：104.1 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.33VatIF=6A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P22HM3SLASHI	文件：106.96 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.60VatIF=6A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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