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V12P12_V01

High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - A

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

V12P6-M3/86A

TO-277A-3

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更多V12P12_V01供应商 更新时间2025-12-10 14:50:00