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V10PM12_V01	文件：114.12 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/ 文件：114.12 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V12P6-M3/86A	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay TO-277A-3	VishayVishay Siliconix 威世上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	Vishay
V15P8-M3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY TO-247	VishayVishay Siliconix 威世上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	Vishay

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更多V10PM12_V01供应商更新时间2025-10-12 16:50:00