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V10PM12-M3/86A分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
V10PM12-M3/86A |
| 参数属性 | V10PM12-M3/86A 封装/外壳为TO-277，3-PowerDFN；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A |
| 功能描述 | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| 封装外壳 | TO-277，3-PowerDFN |
| 文件大小 |
91.22 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Vishay Siliconix |
| 企业简称 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名称 | 威世科技半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | V10PM12-M3/86A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
V10PM12-M3/86A
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
eSMP®, TMBS®
- 包装：
带盒（TB）
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
3.9A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
- 供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
12250 |
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询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO277 |
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VISHAY |
25+23+ |
TO-277A(S |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-277A(SMPC) |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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60000 |
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VISHAY/威世 |
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