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V10PM10_V01

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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更多V10PM10_V01供应商 更新时间2025-6-4 15:01:00