High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 2.5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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威世威世科技公司

Package：8-PowerTDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：10A, 100V, FLATPAK TRENCH SKY RE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：8-PowerTDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：10A, 100V, FLATPAK TRENCH SKY RE

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Package：8-PowerTDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：10A, 100V, FLATPAK TRENCH SKY RE

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