High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.29 V at IF = 2.5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

文件：135.21 Kbytes 页数：5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Package：8-PowerTDFN；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：10A, 45V, FLATPAK TRENCH SKY REC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：8-PowerTDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：10A, 45V, FLATPAK TRENCH SKY REC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：8-PowerTDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：10A, 45V, FLATPAK TRENCH SKY REC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division