V10DM153C中文资料Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 2.5 A数据手册Vishay规格书

| 厂商型号 |
V10DM153C |
| 参数属性 | V10DM153C 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DUAL 150V, 10A TMBS (TRENCH MOS |
| 功能描述 | Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 2.5 A |
| 封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世 威世科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
| 人工找货 | V10DM153C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
V10DM153C规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Very low profile - typical height of 1.7 mm
Ideal for automated placement
应用 Application
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection in commercial, industrial, and automotive application.
技术参数
- 产品编号:
V10DM153C-M3/I
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
5A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 175°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
- 供应商器件封装:
TO-263AC(SMPD)
- 描述:
DUAL 150V, 10A TMBS (TRENCH MOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse(美国力特) |
24+ |
插件 |
7350 |
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