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V10D60C_V01	文件：125.5 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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V10D60C_V01

文件：125.5 Kbytes

Page：5 Pages

Dual TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技

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