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UTV8100B数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

UTV8100B

参数属性

UTV8100B 封装/外壳为55RT;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

功能描述

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

封装外壳

55RT

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:31:00

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技术参数

  • 产品编号:

    UTV8100B

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    60V

  • 频率 - 跃迁:

    470MHz ~ 860MHz

  • 增益:

    8.5dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    290W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 1A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    15A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    55RT

  • 供应商器件封装:

    55RT

  • 描述:

    RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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