UTV8100B中文资料RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets数据手册Microchip规格书
技术参数
- 产品编号：
UTV8100B
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
- 频率 - 跃迁：
470MHz ~ 860MHz
- 增益：
8.5dB ~ 9.5dB
- 功率 - 最大值：
290W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
15A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55RT
- 供应商器件封装：
55RT
- 描述：
RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SouriauConnectionTechnol |
24+ |
48 |
询价 | ||||
GHZ |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
CHENMKO |
24+ |
SOD-923 |
9600 |
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询价 | ||
16+ |
SOD-923 |
85000 |
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥! |
询价 | |||
Microsemi Corporation |
2022+ |
55RT |
38550 |
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Phoenix/菲尼克斯 |
23/24+ |
3069048 |
10859 |
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SOURIAU |
25+ |
连接器 |
93 |
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CHENMKO |
20+ |
SOD-923 |
36800 |
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GHZAPT |
24+ |
260 |
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询价 |
