UTV8100B分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
UTV8100B |
| 参数属性 | UTV8100B 封装/外壳为55RT；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT |
| 功能描述 | 100 Watts Pk, 28 Volt, Class AB UHF Television - Band IV & V |
| 封装外壳 | 55RT |
| 文件大小 |
304.92 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | GHZTECH |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-31 19:10:00 |
| 人工找货 | UTV8100B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
UTV8100B规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
The UTV8100B is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 100 Watt Peak, Class AB, RF Output Power over the band 470 - 860 MHz. The transistor includes double input and output prematching for full broadband capability. Gold Metalization and Diffused Ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness.
产品属性
- 产品编号：
UTV8100B
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
- 频率 - 跃迁：
470MHz ~ 860MHz
- 增益：
8.5dB ~ 9.5dB
- 功率 - 最大值：
290W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
15A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55RT
- 供应商器件封装：
55RT
- 描述：
RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
25+ |
55RT |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
CHENMKO |
20+ |
SOD-923 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
SouriauConnectionTechnol |
24+ |
48 |
询价 | ||||
GHZ |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
CHENMKO |
24+ |
SOD-923 |
9600 |
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询价 | ||
16+ |
SOD-923 |
85000 |
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥! |
询价 | |||
Phoenix/菲尼克斯 |
23/24+ |
3069048 |
10859 |
优势特价 原装正品 全产品线技术支持 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
55RT |
38550 |
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询价 | ||
SOURIAU |
25+ |
连接器 |
93 |
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