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UTT6N10Z数据手册UTC中文资料规格书

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厂商型号

UTT6N10Z

功能描述

100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET

制造商

UTC Unisonic Technologies

中文名称

友顺 友顺科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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UTT6N10Z规格书详情

描述 Description

The UTC UTT6N10Z is an N-channel enhancement mode Power FET, it uses UTC’s advanced technology to provide customers a minimum on-state resistance, high switching speed and ultra low gate charge. The UTC UTT6N10Z is usually used in DC-DC Conversion.

特性 Features

• RDS(on) =80mΩ @VGS = 10 V,ID=6A
• High Switching Speed
• Low Crss (Typically 3.1pF)
• Low Gate Charge(Typically 4.3nC)

技术参数

  • 制造商编号

    :UTT6N10Z

  • 生产厂家

    :UTC

  • VGS(±V)

    :±20

  • ID(A)

    :6

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V

    :108

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V

    :153

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=2.5V

    :-

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.8V

    :-

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.5V

    :-

  • CISSTYP.(pF)

    :720

  • COSSTYP.(pF)

    :85

  • CRSSTYP.(pF)

    :33

  • QgTYP.(nC)

    :28

  • QgsTYP.(nC)

    :3.9

  • QgdTYP.(nC)

    :5.3

  • VGS(th)(V)MIN.

    :1

  • VGS(th)(V)MAX.

    :3

  • Package

    :SOT-223_TO-252

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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