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UTG4N65L-TN3-R	文件：229.47 Kbytes Page：4 Pages	650V TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT DESCRIPTION TheUTCUTG4N65-SisanTrenchField-StopInsulatedGate BipolarTransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovide customerswithhighswitchingspeed,lowsaturationvoltageand lowswitchingloss,etc. TheUTCUTG4N65-Sissuitablefortheresonantorsoft switchingap	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N65L-TN3-R	文件：1.07612 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4N65L-TN3-R	文件：390.7 Kbytes Page：8 Pages	4Amps,650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC4N65isahighvoltagepowerMOSFETdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanche characteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedinhighspeedswitchingapplicationsinclud	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N65L-TN3-R	文件：436.36 Kbytes Page：8 Pages	4A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC4N65-TC1isaN-channelmodepowerMOSFET usingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswith planarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsa minimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance. Italsocanwithstandhighenergypulseinthe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N65L-TN3-R	文件：368.33 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N65L-TN3-R	文件：253.12 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N65L-TN3-R	文件：246.28 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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4N65L-TN3-T	文件：1.07613 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多UTG4N65L-TN3-R供应商更新时间2025-7-25 8:02:00

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