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UT4822G-S08-R	文件：1.60254 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 30V, ID= 9 A RDS(ON) 文件：1.60254 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
UT4822G-S08-R	文件：268.45 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：268.45 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4822G-S08-R	文件：198.81 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：198.81 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4822G-S08-R	文件：1.43703 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.43703 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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更多UT4822G-S08-R供应商更新时间2025-10-12 14:14:00