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UT4430G-S08-R	文件：235.88 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UT4430 uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for applications, such as high-side DC/DC conversion, notebook and sever. FEATURES * VDS(V)=30V * ID=18A (VGS = 10V) * RDS(ON) 文件：235.88 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4430G-S08-R	文件：1.84849 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.84849 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT4430G-S08-R	文件：264.38 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：264.38 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT4435G	文件：0 bytes Page：0 Pages	UTC/友顺 SOP-8	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
UT54ACS164245SUCC	文件：0 bytes Page：0 Pages	UTMC SOP	UTMC 上传：深圳市盛泰捷科电子有限公司	UTMC

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更多UT4430G-S08-R供应商更新时间2025-10-12 14:14:00