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UT3419L-AE3-R	文件：145.39 Kbytes Page：3 Pages	20V, 3.5A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUT3419isaP-channelenhancementMOSFETprovidingdesignerswithexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Thegatevoltageisaslowas2.5V. TheUTCUT3419canbeappliedinPWMapplicationsorusedasaloadswitch. FEATURES RDS(ON)≤75mΩ@VGS=-10V,ID=-3.5A RDS(ON)≤	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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UT3419L-AE3-R

文件：145.39 Kbytes

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20V, 3.5A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCUT3419isaP-channelenhancementMOSFETprovidingdesignerswithexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Thegatevoltageisaslowas2.5V. TheUTCUT3419canbeappliedinPWMapplicationsorusedasaloadswitch. FEATURES *RDS(ON)≤75mΩ@VGS=-10V,ID=-3.5A *RDS(ON)≤

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