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UT3418L-AE3-R	文件：149.45 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UT3418 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 60mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) ≤ 70mΩ @ VGS = 4.5 V RDS(ON) 文件：149.45 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3418L-AE3-R	文件：492.11 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：492.11 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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更多UT3418L-AE3-R供应商更新时间2025-10-9 9:05:00