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UT3418G-AE3-R	文件：149.45 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUT3418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)≤60mΩ@VGS=10V RDS(ON)≤70mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT3418G-AE3-R	文件：492.79 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

UT3418G-AE3-R

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

详细参数

型号：
UT3418G-AE3-R
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多UT3418G-AE3-R供应商更新时间2025-7-23 18:10:00

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