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UT3416L-AE3-R	文件：114.31 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT3416 is advanced N-channel enhancement MOSFET which can provide the designer with the best combination of excellent RDS (ON), low gate charge and low gate voltages as low as 1.8V.When it is used as a load switch or in PWM application, the UTC UT3416 can be considered as an i 文件：114.31 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3416L-AE3-R	文件：482.52 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：482.52 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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更多UT3416L-AE3-R供应商更新时间2025-11-24 18:56:00