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UT3409L-AE3-R

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC UT3409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON) ≤ 130 mΩ @ VGS=-10V, ID=-2.6A RDS(ON) ≤ 200 mΩ @ VGS =-4.5V, ID=-2.0A

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UTC

友顺

UT3409L-AE3-R

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters

文件:472.01 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

UT3414G

UTC/友顺
SOT-23

UTC/友顺

UT3416G

UTC/友顺
SOT-23

UTC/友顺

UT3419G

UTC/友顺
SOT-23

UTC/友顺

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更多UT3409L-AE3-R供应商 更新时间2025-10-13 14:14:00