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UT3409L-AE2-R	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT3409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON) ≤ 130 mΩ @ VGS=-10V, ID=-2.6A RDS(ON) ≤ 200 mΩ @ VGS =-4.5V, ID=-2.0A 文件：202.76 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3409L-AE2-R	文件：491.54 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：491.54 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT3414G	文件：0 bytes Page：0 Pages	UTC/友顺 SOT-23	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
UT3416G	文件：0 bytes Page：0 Pages	UTC/友顺 SOT-23	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
UT3419G	文件：0 bytes Page：0 Pages	UTC/友顺 SOT-23	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺

更多UT3409L-AE2-R供应商更新时间2025-5-17 16:47:00