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UT3409G-AE3-R	文件：491.36 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：491.36 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UT3409G-AE3-R	文件：202.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT3409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON) ≤ 130 mΩ @ VGS=-10V, ID=-2.6A RDS(ON) ≤ 200 mΩ @ VGS =-4.5V, ID=-2.0A 文件：202.76 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3409G-AE3-R	文件：228.25 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：228.25 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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更多UT3409G-AE3-R供应商更新时间2025-10-7 14:14:00