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UT3409G-AE3-R

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCUT3409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *SOT-23-3/SOT-23 RDS(ON)≤130mΩ@VGS=-10V,ID=-2.6A RDS(ON)≤200mΩ@VGS=-4.5V,ID=-2.0A

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UT3409G-AE3-R

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

UT3409G-AE3-R

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

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更多UT3409G-AE3-R供应商 更新时间2025-5-19 10:12:00