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|---|---|---|---|---|
US6M11TR | 1.5V Drive Nch Pch MOSFET 文件：206.44 Kbytes 页数：8 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
4V Drive Nch Pch MOSFET 文件：1.29443 Mbytes 页数：11 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | ||
4600W Transient Voltage Suppressors Family 文件：516.2 Kbytes 页数：3 Pages | SECOS 喜可士 | SECOS | ||
1.5V Drive NchPch MOSFET 文件：273.39 Kbytes 页数：8 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM |
详细参数
- 型号：
US6M11TR
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
25+ |
TUMT6 |
32360 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM |
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SOT-363 |
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Rohm Semiconductor |
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UMT6 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM |
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SOT363 |
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更新时间2026-4-22 19:52:00
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