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US1JHE3_A/I	文件：84.66 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Ultrafast Rectifier FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Glass passivated chip junction • Ultrafast reverse recovery time • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified TY 文件：84.66 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
US1JHE3_A/I	文件：86.56 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Ultrafast Rectifier FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Glass passivated chip junction • Ultrafast reverse recovery time • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • Ma 文件：86.56 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
US1JHE3-A/I	文件：84.66 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Ultrafast Rectifier FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Glass passivated chip junction • Ultrafast reverse recovery time • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified TY 文件：84.66 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
US1JHE3_A/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
US1JHE3_A/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
10pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

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更多US1JHE3_A/I供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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