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US1JHE3_A/I	文件：84.66 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Ultrafast Rectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified TY	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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US1JHE3_A/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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US1JHE3_ASLASHI	文件：84.66 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastRectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified TY	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
US1JHE3_A/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
10pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

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