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MBR6060	文件：123.16 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerDiode,60A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR6060	文件：807.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR6060	文件：81.79 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE60A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBR6060CT	文件：134.04 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司	SMC
MBR6060CT	文件：829.63 Kbytes Page：4 Pages	MBR6060CTSCHOTTKYRECTIFIER Features 150CTJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhanced mechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb−F	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBR6060CT	文件：278.99 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES ·MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure. ·LowLeakageCurrent. ·HighCurrentCapability,HighEfficiency. ·HighJunctionTemperatureCapability.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR6060FCT	文件：245.47 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed250C/10seconds atterminals	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR6060PT	文件：166.76 Kbytes Page：2 Pages	60.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR6060PT	文件：940.61 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures HighefficienctyoperationandLowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std..(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR6060PT	文件：479.39 Kbytes Page：2 Pages	60AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR6060PT	文件：224.29 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR6060PT	文件：222.12 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR6060PT	文件：382.63 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringforovervoltageprotection.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR6060PT	文件：336.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:60A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardr	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR6060PT	文件：297.47 Kbytes Page：6 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
MBR6060PT	文件：759.94 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR6060PT	文件：99.5 Kbytes Page：2 Pages	60.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers FEATURES -Lowpowerloss,highefficiency -Guardringforovervoltageprotection -Highsurgecurrentcapability -ULRecognizedFile#E-326243 -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUand inaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR6060PT	文件：49.95 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to100VoltsCURRENT60Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapabili	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR6060PT	文件：111.58 Kbytes Page：2 Pages	60.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers FEATURES -Lowpowerloss,highefficiency -Guardringforovervoltageprotection -Highsurgecurrentcapability -ULRecognizedFile#E-326243 -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUand inaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR6060PT	文件：427.06 Kbytes Page：2 Pages	60AMPERESSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to100VoltsCURRENT60Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapabili	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
UPI6060
制造商：
Electronic Devices, Inc.
功能描述：
60 Amp. Single Phase Bridge 1000 Amp. Surge, Bulk
制造商：
ELECTRONIC DEVICES INC.

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更多UPI6060供应商更新时间2024-6-5 16:43:00

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