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UPG2318T5N-E2-ARF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

UPG2318T5N-E2-A
厂商型号

UPG2318T5N-E2-A

参数属性

UPG2318T5N-E2-A 封装/外壳为6-XFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP 802.11B/G 2.4GHZ 6TSON

功能描述

GaAs HBT INTEGRATED CIRCUIT

丝印标识

G5G

封装外壳

TSON / 6-XFDFN 裸露焊盘

文件大小

261.64 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-14 22:30:00

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UPG2318T5N-E2-A规格书详情

FEATURES

• Operating frequency : fopt = 2 400 to 2 500 MHz (2 450 MHz TYP.)

• Supply voltage : VCC1, 2 = 3.0 to 4.6 V (3.3 V TYP.)

• Control voltage : Venable = 0 to 3.0 V (2.8 V TYP.)

• Circuit current : ICC = 120 mA TYP. @ VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.8 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation : 64QAM/54 Mbps)

• Power gain : GP = 28 dB TYP. @ VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.8 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation : 64QAM/54 Mbps)

• Gain flatness : ΔGP = 0.8 dB TYP. @ f = 2.4 to 2.5 GHz, VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.8 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation : 64QAM/54 Mbps)

• Error vector magnitude : EVM = 2.5 TYP. @ VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.8 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation : 64QAM/54 Mbps)

• Harmonics : 2f0 = 30 dBc TYP. @ VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.8 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation : 64QAM/54 Mbps)

• High-density surface mounting : 6-pin plastic TSON package (1.5 × 1.5 × 0.37 mm)

产品属性

  • 产品编号:

    UPG2318T5N-E2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 频率:

    2.4GHz ~ 2.5GHz

  • 增益:

    28dB

  • 射频类型:

    802.11b/g

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 4.6V

  • 电流 - 供电:

    120mA

  • 测试频率:

    2.45GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-XFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-TSON

  • 描述:

    IC RF AMP 802.11B/G 2.4GHZ 6TSON

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